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標(biāo)題: 基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)（十）高頻電路用電路板設(shè)計(jì)技術(shù)探索(7) [打印本頁]
作者: qq8426030 時(shí)間: 2013-5-2 15:59
標(biāo)題: 基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)（十）高頻電路用電路板設(shè)計(jì)技術(shù)探索(7)
基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)（十）高頻電路用電路板設(shè)計(jì)技術(shù)探索(7)
Ground via的位置對(duì)高頻特性的影響
圖6是為了量測(cè)870～890MHz高頻增幅電路的特性，特別設(shè)計(jì)的仿真分析用電路，具體而言它在誘電體厚度為1.0mm， εr=4.3的CEM-3印刷電路板上進(jìn)行封裝，測(cè)試如何才能獲得10dB以上的等化，以及1.1以下的VSWR(Voltage standing Wave Ratio)特性。
*ground via盡可能靠近pad
如圖6的電路可知Transistor的emitter端子與ground之間插入micro strip line model，當(dāng)作emitter的pad至ground via之間印刷pattern，藉此測(cè)試印刷pattern的長(zhǎng)度，亦即emitter的pad至ground via之間的距離對(duì)高頻特性的影響。等化特性、輸出入阻抗特性(impedance)的測(cè)試結(jié)果分別如下所述:
等化特性
圖7是emitter直接與ground連接，以及emitter的pad至ground via之間相隔2.0mm時(shí)，兩者的通過特性模擬分析結(jié)果。圖7(a)是配合模擬分析將LX 設(shè)定為1μm的結(jié)果；表4是上述兩者等化的差異結(jié)果。由圖可知即使是800MHz領(lǐng)域由于插入2.0mm的pad，等化大約會(huì)降低3.4～4.4dB。
表4 emitter的pad至ground via之間的距離造成等化的差異結(jié)果
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圖6 870～890MHz高頻增幅器的電路(仿真分析用電路)
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圖7 Emitter的pad至ground via的距離造成通過特性的差異
輸出入阻抗特性
圖8的Smith chart是emitter直接與ground連接，以及emitter的pad至ground via之間相隔2.0mm時(shí)，Transistor (Tr1)的輸出入阻抗(S11,S22) 頻率特性仿真分析結(jié)果。由Smith chart可知圖中有S11 與S22 兩條特性曲線，它的中心是50Ω阻抗(imped ance)，VSWR是圖中1.0的點(diǎn)。從Smith chart的中心(50Ω)描繪的兩個(gè)同心圓表示 VSWR，內(nèi)側(cè)圓的VSWR為1.5，外側(cè)圓的VSWR為2.0。由圖8(a)可知emitter直接與ground連接的場(chǎng)合，880MHz的輸入阻抗 S11與輸出阻抗S22 幾乎都是50Ω，由此可知兩者接近一致(matching)。ground pad在2.0 (LX = 2.0 mm)的位置時(shí)，880MHz的輸出入阻抗是在VSWR＝2.0圓的外側(cè)上，大幅偏離50Ω的整合條件。
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(a)emitter直接與ground連接時(shí)的阻抗特性
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(b) 距離emitter pad2mm設(shè)有ground via時(shí)的阻抗特性
圖8 Emitter的pad至ground via的距離造成阻抗特性的差異
根據(jù)以上模擬分析結(jié)果可知為了獲得良好的高頻電路特性，因此高頻電子組件的ground via必需設(shè)在pad的近傍。
*大直徑via較有利
圖6的Transistor emitter pad分別設(shè)有直徑0.4mm與0.2mm的via，如果與圖9的電路作增幅特性差異比較，此處假設(shè)via直徑以外的條件，例如模擬分析手法與圖6設(shè)有v ia完全相同，且 為0.001mm。根據(jù)以上測(cè)試條件獲得如圖10所示的通過特性，需注意的是圖10的via直徑分別是0.4mm與0.2mm；表5是兩者的等化差異，由表5可知不同的via直徑會(huì)造成-0.5～-0.6dB的等化差異，如果與表5的「emitter直接與ground連接時(shí)的通過特性」比較時(shí)，via直徑0.4mm的等化值為-1.3～-1.9dB；via直徑0.2m m的等化值為-1.8～-2.5dB。圖11是via直徑為0.4mm與0.2mm時(shí)的輸出入阻抗特性，由圖11可知via直徑為0.4mm的VSWR為1.4；via直徑為0.2mm的VSWR為1.6，也就是說直徑為0.4mm的via對(duì)整合狀態(tài)的影響比較小。
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圖9 870～890MHz高頻增幅器的電路(仿真分析用電路)
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圖10 不同的ground via直徑離造成通過特性的差異
表5 不同的ground via直徑造成等化的差異(模擬分析)
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圖11 不同的ground via直徑造成等化的差異(Smith chart)
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作者: pcbkey 時(shí)間: 2015-2-4 12:08
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