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標題: 場效應管AO4354的特征 [打印本頁]

作者: xunavc 時間: 2018-11-28 16:46
標題: 場效應管AO4354的特征
　　場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
　　場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
　　由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
　　特點
　　與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。
　　（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
　　場效應管AO4354 http://www.dzsc.com/ic-detail/9_1105.html概述
　　最新的Trench Power AlphaMos（阿摩司LV）技術非常低的RDS（on）在4.5VASLow Gate Charge大電流能力ROHS和無鹵順應性應用1.Raua值是在Ta=25°C的窗臺空氣環境下用20Z銅安裝在1in2FR-4板上的裝置測量的。在任何給定的應用中，Raua值取決于用戶的規格板設計。
　　2.功率損耗P基于Twx-150”C，采用10s結晶-環境熱阻。
　　3.重復額定脈沖寬度受結溫Tpax-150°C限制。額定值基于低頻和占空比電路以保持初始Tj;=25℃。
　　4、最新Trench Power AlphaMOS（α-MOS LV）技術4.5 VGS極低RDS（ON）5、Low Gate Charge6、高電流能力
　　7、RoHS和無鹵順應性
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