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產品來源：
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| 制造商 | Advanced Semiconductor， Inc. |
| 產品種類 | 射頻(RF)雙極晶體管 |
| RoHS | 符合 |
| 晶體管類型 | Bipolar Power |
| 技術 | Si |
| 晶體管極性 | NPN |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min | 20 |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | 18 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO | 4 V |
| 集電極連續電流 | 4 A |
| 最小工作溫度 | - 65 C |
| 最大工作溫度 | + 200 C |
| 安裝風格 | Screw Mount |
| 封裝 / 箱體 | SOT-123 |
| 封裝 | Tray |
| 工作頻率 | 175 MHz |
| 類型 | RF Bipolar Power |
| 商標 | Advanced Semiconductor， Inc. |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| 產品類型 | RF Bipolar Transistors |
| 子類別 | Transistors |
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