| 參與第3期Numonyx知識競賽，贏取Altera Cyclone III 開發板和sd卡,你還在等什么，趕緊去參加把！ http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx 挑戰問題三 問題1 隨著如今的高容量存儲器技術邁向下一代具有挑戰性的30nm大關，人們認為相變存儲器的理論極限尺度是？ 20 nm 15 nm 10 nm 5 nm 問題2 Numonyx近期在何處發表了題為《硫族化合物相變存儲器：未來十年的存儲器技術》的文章？ 2009年IEEE國際電子器件會議（IEDM） 2010年IEEE系統會議 BCS統計與預測會議 先進技術分會 問題3 下面哪種技術相較于另外三種生產技術其產品耐久度能夠獲得十倍以上的提升？ NAND SLC NOR PCM NAND MLC 問題4 相變存儲器單元的非結晶態和結晶態的轉變導致電荷流經存儲器單元時阻力的變化是下面哪種技術的典型范例？ 電荷存儲技術 浮動柵技術 狀態轉換技術 衰竭離子技術 問題5 下面哪種問題的產生于電荷存儲單元面積的不斷縮小有關？ 可以存儲電子的單元的質量 隨著層數的增加，MLC可靠性的降低 每bit成本繼續以傳統方式降低時所面臨的潛在困難 上述三個選項 |
| 歡迎光臨 電子工程網 (http://m.4huy16.com/) | Powered by Discuz! X3.4 |