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標題: SRAM與ROM和Flash Memory的區別 [打印本頁]

作者: 英尚微電子 時間: 2022-10-25 17:29
標題: SRAM與ROM和Flash Memory的區別
靜態SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內部的cache，都是靜態RAM,缺點是內存單元需要大量的晶體管，所以價格昂貴，容量小。SRAM靜態隨機存取存儲器加電時，無需刷新，數據不會丟失，一般不是行列地址復用。

SRAM它是一種半導體存儲器。靜態是指只要不掉電，存儲就存在SRAM中間的數據不會丟失。這與此同時。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。

我們不應將SRAM與ROM和Flash Memory混淆，因為SRAM它是一種容易丟失的存儲器，只有在電源連續供應時才能保持數據。隨機訪問是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，無論之前訪問的位置如何。

SRAM每個晶體管都存儲在四個晶體管中，形成兩個交叉耦合反向器。存儲單元有兩個穩定狀態，通常為0和1。此外還需要兩個訪問晶體管來控制存儲單元在閱讀或寫作過程中的訪問。因此存儲位通常需要六個MOSFET。使電路結構對稱SRAM訪問速度要快于DRAM。

SRAM比DRAM訪問速度快的另一個原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址復用結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。

SRAM也不應該與PSRAM相混淆，pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。

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