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標題: RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1 電子器件 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2022-11-8 11:00
標題: RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1 電子器件
RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1（供應/求購）
明佳達電子/星際金華（供求）以上型號，有興趣的朋友，歡迎隨時聯(lián)絡我們！

一、RTQ2117C（RTQ2117C-QA）
具有充電端口控制器和集成 36V 3.5A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 USB Type-C DFP。
RTQ2117C-QA 芯片可應用于汽車車載充電器，USB 電源充電器。

二、FS380R12A6T4LBBPSA1
配置 3 個獨立式
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 380 A
符合汽車標準的電源模塊，專為混合動力和電動汽車應用. 產(chǎn)品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。

三、IMBF170R1K0M1XTMA1
降低系統(tǒng)復雜性
高功率密度
1700 V SiC MOSFET能實現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓撲結構，適用于輔助電源
SMD（表面貼裝）封裝便于直接集成于PCB，能實現(xiàn)自然對流冷卻，無需額外的散熱器
由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大，隔離工作量減少
CoolSiC™ 1700V CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓撲結構進行了優(yōu)化，適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。

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