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標(biāo)題: AIMBG120R010M1，AIMBG120R120M1 采用TO263-7封裝的汽車MOSFET晶體管 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2022-12-13 14:32
標(biāo)題: AIMBG120R010M1，AIMBG120R120M1 采用TO263-7封裝的汽車MOSFET晶體管
星際金華，明佳達(dá) 供求 AIMBG120R010M1，AIMBG120R120M1 采用TO263-7封裝的汽車MOSFET晶體管

概述：
用于汽車的1200V碳化硅mosfet系列是為混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車中目前和未來的車載充電器和DC-DC應(yīng)用而開發(fā)。
該碳化硅mosfet采用最先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)，結(jié)合.XT互連技術(shù)，專門設(shè)計(jì)用于滿足汽車行業(yè)對可靠性、質(zhì)量和性能的高要求。
獨(dú)特的功能，如在1200V開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、內(nèi)部換向證明體二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性，保證了無障礙設(shè)計(jì)和易于控制的應(yīng)用設(shè)計(jì)。
緊湊的SMD外殼D2PAK(PG-TO263-7)使客戶生產(chǎn)設(shè)施實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化，并進(jìn)一步降低了系統(tǒng)層面的成本。

特征描述：
革命性的半導(dǎo)體材料--碳化硅
非常低的開關(guān)損耗
無閾值的通態(tài)特性
0V的關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
完全可控的dv/dt
換向穩(wěn)健的主體二極管，準(zhǔn)備用于同步整流
與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳
適用于HV爬電要求
XT互連技術(shù)可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

優(yōu)勢：
效率提高
使得頻率更高
提高功率密度
減少冷卻工作量
降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本

潛在應(yīng)用：
板載充電器
直流-直流轉(zhuǎn)換器

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