根據(jù)3D晶體管的結(jié)構(gòu)和工藝，可以將其分為不同的類別，如下所示：
1、垂直晶體管（Vertical Transistor）：垂直晶體管是指晶體管的通道方向與襯底平面垂直的結(jié)構(gòu)，具有較高的集成度和較低的功耗。
2、多層晶體管（Multilayer Transistor）：多層晶體管是指在垂直方向上堆疊多層晶體管的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更好的性能。
3、FinFET晶體管：FinFET晶體管是一種垂直晶體管結(jié)構(gòu)，其通道是由多個(gè)縱向“鰭狀”結(jié)構(gòu)組成的，可以提供更高的集成度和更好的性能。
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