雪崩光電二極管（Avalanche Photodiode，簡稱APD）是一種具有內部增益特性的光電二極管，用于檢測低光強度信號。它在光信號接收和檢測中具有較高的靈敏度和低噪聲特性，常用于光通信、光譜分析、光電子顯微鏡等領域。
一、基本結構：
雪崩光電二極管的基本結構與普通光電二極管相似，由P型和N型半導體材料構成。但與普通光電二極管不同的是，APD在P-N結附近添加了高摻雜的區域，稱為雪崩區。雪崩區的高電場強度可以使載流子獲得較高的能量，從而產生雪崩效應，形成電子-空穴對。
二、工作原理：
當光子進入APD，被吸收并轉化為電子-空穴對。在雪崩區的高電場作用下，電子-空穴對會經歷倍增過程，即每個載流子在撞擊離子晶格時會產生更多的電子-空穴對。這種雪崩效應可以顯著增加載流子的數量，從而提高光電二極管的靈敏度。最終，產生的電荷被收集到電極上形成電流輸出。
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