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標(biāo)題: SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁(yè)]
作者: VBsemi    時(shí)間: 2023-11-23 17:39
標(biāo)題: SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數(shù)說明：P溝道，-60V，-5.2A，導(dǎo)通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-2V，封裝：SOT23。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開關(guān)和電流控制等領(lǐng)域。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝使其在緊湊場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于低功率開關(guān)、電流控制和模擬開關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合緊湊型應(yīng)用的場(chǎng)景。


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SI2309CDS-T1-GE3.pdf

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