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標題: 在TLD6098-2ES 升壓拓撲的對地短路期間，如何快速關閉通道并禁用軟啟動重試？ [打印本頁]
作者: 芻狗    時間: 2024-3-3 22:25
標題: 在TLD6098-2ES 升壓拓撲的對地短路期間，如何快速關閉通道并禁用軟啟動重試？
問題：在TLD6098-2ES 升壓拓撲的對地短路期間，如何快速關閉通道并禁用軟啟動重試？

答案：升壓拓撲（升壓到地和升壓到電池）具有從電池到輸出的直接路徑。在輸出對地短路的情況下，TLD6098-1EP和TLD6098-2ES會連續重試軟啟動程序，以檢測是否仍然存在短路。
連續重試會多次打開/關閉PMOS，這可能會損壞PMOS本身（功耗過高）。
為了避免損壞PMOS，一旦VOUT對地短路，可以拉低DC/PWMI引腳。
為此，可以使用帶有二極管D2和限流電阻器RLIM的網絡，如下圖所示：
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如果PWMI引腳上仍然存在尖峰，則可以實施一種較復雜的解決方案，即使用2個小信號MOSFET來檢測短路并相應地驅動PWMI（參見下圖）。

當輸出對地短路時，上述附加電路通過禁用控制器來工作。為了讓傳感網絡實現偏置，需要將適當的RLIM與PMOS并聯。當DC-PWMI較低時，該電阻器的值高于47kOhm，以保持進入LED的電流最小。






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