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標題: 5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率 大電流 損耗小 低內阻 [打印本頁]
作者: HHZHOUQIN 時間: 2024-6-27 10:33
標題: 5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率 大電流 損耗小 低內阻
HG160N10LS采用先進的SFGMOS技術，提供低 RDS（ON），低門充電，快速切換和出色的雪崩特性。該設備是專門設計的以獲得更好的耐用性，并適用于在同步整流應用。N溝道場效應管，封裝SOT23-3,開啟電壓1.7V 低結電容201pF ，應用于各類照明、太陽能源、加濕器、美容儀、霧化器等開關等領域。
VDSmin:100V、ID:5A、RDS:135mΩ、Qg:4.3nC
HG160N10LS uses advanced SFGMOS technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Synchronous-rectification applications.
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