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標(biāo)題: 二極管整流器 IDWD30G120C5XKSA1，IDWD40G120C5XKSA1，CY8C4146AZI-S455微控制器 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2024-10-23 11:11
標(biāo)題: 二極管整流器 IDWD30G120C5XKSA1，IDWD40G120C5XKSA1，CY8C4146AZI-S455微控制器
明佳達(dá)，星際金華供求二極管整流器 IDWD30G120C5XKSA1，IDWD40G120C5XKSA1，CY8C4146AZI-S455微控制器

1200V 87A IDWD30G120C5XKSA1 肖特基碳化硅二極管 TO-247-2 封裝

產(chǎn)品描述
與硅基解決方案相比，IDWD30G120C5XKSA1 第 5 代 1200V CoolSiC 肖特基二極管具有更好的散熱性能，提高了系統(tǒng)可靠性，并有可能在給定的外形尺寸下提高輸出功率。

特點(diǎn)
二極管關(guān)斷損耗為零
熱性能提高，靜態(tài)損耗降低
2A 至 40A 額定電流
系統(tǒng)效率提高
輸出功率比硅二極管解決方案高 30
系統(tǒng)可靠性高

應(yīng)用
金屬處理：焊接
太陽能集中逆變器、太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器

集成電路芯片 IDWD40G120C5XKSA1 單二極管 1200V 110A 通孔

產(chǎn)品描述
IDWD40G120C5XKSA1 與 Si HighSpeed 3 IGBT 相結(jié)合，可將 Si IGBT 的導(dǎo)通損耗降低 40%，并減少 EMI。

特點(diǎn)
與硅二極管相比，系統(tǒng)效率更高
實(shí)現(xiàn)更高頻率/更高功率密度的解決方案
由于減少了散熱片要求和更小的磁性元件，從而節(jié)省了系統(tǒng)尺寸/成本
減少電磁干擾
在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有最高效率
浪涌事件期間二極管運(yùn)行穩(wěn)定
可靠性高

應(yīng)用
太陽能、UPS、SMPS、存儲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接
微型逆變器、組串逆變器、UPS 中的 PFC 級、UPS 中的維也納整流器

單核 CY8C4146AZI-S455 微控制器芯片 48MHz 集成電路芯片

產(chǎn)品描述
CY8C4146AZI-S455 是 32 位單核微控制器芯片，可編程片上系統(tǒng) (PSoC)，閃存容量高達(dá) 128 KB，帶讀取加速器。

功能特點(diǎn)
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
PLL 生成 48 MHz 頻率
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
1.71-V 至 5.5-V 低功耗運(yùn)行
深度睡眠模式，模擬工作電流和 2.5uA 數(shù)字系統(tǒng)電流

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