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標題: NOR 存儲器：S29GL512S10TFI020，S29JL064J55BHI003，S25FL064LABNFI043 [打印本頁]
作者: xingjijinhua    時間: 2024-11-22 10:44
標題: NOR 存儲器：S29GL512S10TFI020，S29JL064J55BHI003，S25FL064LABNFI043
明佳達，星際金華供求 NOR 存儲器：S29GL512S10TFI020，S29JL064J55BHI003，S25FL064LABNFI043


512Mbit 并行 100 ns 56-TSOP S29GL512S10TFI020 FLASH - NOR 存儲器 IC

產品描述

S29GL512S10TFI020 具有一個寫入緩沖器，允許在一次操作中對最多 256 個字/512 個字節進行編程，從而使有效編程時間比標準編程算法更快。

功能特點

異步讀取 32 字節頁面

512 字節編程緩沖區

以頁面倍數編程，最大可達 512 字節

單字和多字編程選項

S29JL064J55BHI003 64Mbit 并行 55ns NOR 存儲器 IC

產品描述

S29JL064J55BHI003 器件可使用標準 3.0 伏 VCC 電源進行系統內編程，也可使用標準 EPROM 編程器進行編程。

特點

數據輪詢和切換位

提供檢測編程或擦除操作狀態的軟件方法

解鎖旁路編程命令

當發出多個編程命令序列時，可減少整體編程時間

64Mbit 集成電路芯片 S25FL064LABNFI043 FLASH - NOR 存儲器 IC 8-USON 封裝

產品說明

S25FL064LABNFI043 FL-L NOR 閃存系列采用 65 納米工藝光刻和浮動柵極技術。FL-L 系列通過串行外設接口 (SPI) 連接到主機系統。FL-L 系列支持傳統的 SPI 單位（單 I/O 或 SIO）以及可選的 2 位（雙 I/O 或 DIO）。此外，它還支持四位寬四路 I/O (QIO) 和四路外設接口 (QPI) 命令。

功能特點

帶多 I/O 的串行外設接口 (SPI)

時鐘極性和相位模式 0 和 3

雙倍數據速率 (DDR) 選項

四外設接口 (QPI) 選項

擴展尋址： 24 位或 32 位地址選項

串行命令子集和基底面與 S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容

多 I/O 命令子集和基底面與 S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容






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