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標題: NOR 存儲器：S25FL128SAGMFA000，S70FL01GSDPMFI010，S25HS01GTDPMHI010 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2024-11-23 10:06
標題: NOR 存儲器：S25FL128SAGMFA000，S70FL01GSDPMFI010，S25HS01GTDPMHI010
明佳達，星際金華供求NOR 存儲器：S25FL128SAGMFA000，S70FL01GSDPMFI010，S25HS01GTDPMHI010

128Mbit NOR 閃存 IC S25FL128SAGMFA000 16-SOIC

產(chǎn)品描述
S25FL128SAGMFA000 這種多寬度接口稱為 SPI Multi-I/O 或 MIO。此外，F(xiàn)L-S 系列還增加了對 SIO、DIO 和 QIO 的 DDR 讀取命令的支持，可在時鐘的兩個邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。

功能
擦除（0.5 至 0.65 MBps）
1024 字節(jié)的 OTP 陣列
循環(huán)耐久性：最少 100,000 次編程-擦除循環(huán)
用于配置信息的通用閃存接口 (CFI) 數(shù)據(jù)
256 或 512 字節(jié)頁面編程緩沖區(qū)選項

1Gbit NOR 存儲器芯片 S70FL01GSDPMFI010 集成電路芯片 16-SOIC IC 芯片

產(chǎn)品描述
S70FL01GSDPMFI010 是 1Gbit FLASH - NOR 存儲器芯片，帶串行外設接口 (SPI) 和多輸入/輸出。

特性
CMOS 3.0 V 內(nèi)核
編程（1.5 Mbytes/秒）
512 字節(jié)頁面編程緩沖區(qū)
2048 字節(jié)的一次性程序 (OTP) 陣列

1Gbit 133MHz S25HS01GTDPMHI010 16-SOIC NOR 存儲器 IC

產(chǎn)品描述
S25HS01GTDPMHI010 SEMPER™ 四 SPI 閃存系列包括多種密度，具有 1.8V 和 3.0V 內(nèi)核和 I/O 電壓選項。

特征：
核心電源電壓：2.7 V至3.6 V
I/O電源電壓：1.65 V至3.6 V
串行外設接口（SPI），具有多輸入/輸出功能
SPI時鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）選項
擴展尋址： 32位地址
512字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
用于慢速時鐘系統(tǒng)的四輸入頁編程(QPP)

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