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標(biāo)題: MOSFET晶體管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存儲(chǔ)器CY15B128Q-SXET，NOR閃存存儲(chǔ)器S29GL032N90TFI030 [打印本頁(yè)]
作者: xingjijinhua    時(shí)間: 2025-1-22 10:42
標(biāo)題: MOSFET晶體管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存儲(chǔ)器CY15B128Q-SXET，NOR閃存存儲(chǔ)器S29GL032N90TFI030
明佳達(dá)，星際金華供應(yīng) MOSFET晶體管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存儲(chǔ)器CY15B128Q-SXET，NOR閃存存儲(chǔ)器S29GL032N90TFI030



IPB100N04S4-H2 40V OptiMOS-T2 汽車(chē) MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
IPB100N04S4-H2 是 40V、最大 2.4mΩ 的 OptiMOS-T2 汽車(chē) MOSFET 晶體管。

特性
N 溝道 - 增強(qiáng)模式
通過(guò) AEC 認(rèn)證
MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試

應(yīng)用
電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS)
輕型電動(dòng)汽車(chē) (LEV)

CY15B128Q-SXET 128Kbit 汽車(chē)電子串行 F-RAM 存儲(chǔ)器 IC SOIC-8

產(chǎn)品描述
CY15B128Q-SXET 是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的 128-Kbit 非易失性存儲(chǔ)器。F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 121 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。

功能特點(diǎn)
128-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 16K × 8
極快的串行外設(shè)接口 (SPI)
頻率高達(dá) 33-MHz
直接硬件替代串行閃存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
低功耗
33MHz 時(shí) 5mA 工作電流
500A 待機(jī)電流
12A 休眠模式電流
低電壓運(yùn)行： VDD = 2.7V 至 3.6V
汽車(chē)使用溫度：-40℃ 至 +125
8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝

應(yīng)用
汽車(chē)車(chē)身控制模塊 (BCM)
汽車(chē)主機(jī)

S29GL032N90TFI030 32Mbit 并行 NOR 閃存 IC TSOP-48

產(chǎn)品描述
S29GL032N90TFI030 - 32Mbit 并行 NOR 閃存 IC，TSOP-48

S29GL032N90TFI030 是采用 110 納米 MirrorBit 技術(shù)制造的 3.0 伏單電源閃存。

S29GL032N90TFI030 是一款 32Mbit 器件，以 2,097,152 個(gè)字或 4,194,304 個(gè)字節(jié)組織。它可以在主機(jī)系統(tǒng)或標(biāo)準(zhǔn) EPROM 編程器中進(jìn)行編程。

特點(diǎn)
單電源操作
采用 110 納米 MirrorBit 工藝技術(shù)制造
增強(qiáng)型 VersatileI/O™ 控制
兼容 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
增強(qiáng)型 VersatileI/O™ 控制
所有輸入電平（地址、控制和 DQ 輸入電平）和輸出均由 VIO 輸入電壓決定。VIO 范圍為 1.65 至 VCC

性能特點(diǎn)
高性能
90 ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間
8 字/16 字節(jié)頁(yè)面讀取緩沖器
25 ns 頁(yè)面讀取時(shí)間
16 字/32 字節(jié)寫(xiě)緩沖器可縮短多字更新的總體編程時(shí)間
低功耗
25 mA 典型初始讀取電流、
1 mA 典型頁(yè)面讀取電流
50 mA 典型擦除/編程電流
1 µA 典型待機(jī)模式電流





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