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標(biāo)題: MCU STM32H743VGT6——IRSM836-044MATR智能電源模塊、IPLU300N04S4-R8晶體管 [打印本頁(yè)]
作者: Mingjiada    時(shí)間: 2025-7-16 17:18
標(biāo)題: MCU STM32H743VGT6——IRSM836-044MATR智能電源模塊、IPLU300N04S4-R8晶體管
深圳市明佳達(dá)電子，星際金華（供應(yīng)及回收）原裝庫(kù)存器件：STM32H743VGT6微控制器IC、IRSM836-044MATR三相智能電源模塊、IPLU300N04S4-R8汽車 MOSFET 晶體管。



STM32H743VGT6：480MHz，32位 ARM® Cortex®-M7 微控制器IC，LQFP-100
核心處理器：ARM® Cortex®-M7
內(nèi)核規(guī)格：32位
速度：480MHz
I/O 數(shù)：82
程序存儲(chǔ)容量：1MB（1M x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
RAM 大小：1M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 36x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：100-LQFP（14x14）
封裝/外殼：100-LQFP



IRSM836-044MATR：250V、CIPOS™ Nano 三相 MOSFET 智能電源模塊
電流 - 輸出：4A
電壓 - 供電：13.5V ~ 16.5V
電壓 - 負(fù)載：200V（最大）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
基于 FREDFET 的低 RDS（導(dǎo)通）溝槽
集成自舉功能
欠壓鎖定
兩個(gè)通道的匹配 prop.
交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防邏輯
3.3 V 輸入邏輯兼容
有源高 HIN 和 LIN
額定功率高達(dá) 60 W@10 kHz



IPLU300N04S4-R8：40V，OptiMOS™-T2 汽車 MOSFET 晶體管，PG-HSOF-8
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）
功率耗散（最大值）：429W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
N 溝道 - 增強(qiáng)模式
MSL1 最高 260°C 峰值回流溫度
175°C 工作溫度
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
超低 RDS(on)
支持 PPAP 的器件


明佳達(dá)電子，星際金華（供應(yīng)及回收）原裝器件：STM32H743VGT6（32位MCU）、IRSM836-044MATR（CIPOS™ Nano 智能電源模塊）、IPLU300N04S4-R8（OptiMOS™-T2 晶體管），如有需求，歡迎聯(lián)絡(luò)我們！




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