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標(biāo)題: MOSFET晶體管SIZF918DT-T1-GE3，開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器APW8743CQBI-TRG，串行EEPROM存儲(chǔ)器AT24C16C-SSHM-T [打印本頁(yè)]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2025-10-11 15:45
標(biāo)題: MOSFET晶體管SIZF918DT-T1-GE3，開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器APW8743CQBI-TRG，串行EEPROM存儲(chǔ)器AT24C16C-SSHM-T
明佳達(dá)，星際金華供應(yīng) MOSFET晶體管SIZF918DT-T1-GE3，開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器APW8743CQBI-TRG，串行EEPROM存儲(chǔ)器AT24C16C-SSHM-T

SIZF918DT-T1-GE3 帶肖特基二極管的雙N溝道30V MOSFET晶體管

產(chǎn)品描述
SIZF918DT-T1-GE3為雙N溝道30V MOSFET晶體管（帶肖特基二極管）。

規(guī)格參數(shù)
技術(shù)類型 MOSFET（金屬氧化物）
結(jié)構(gòu)形式雙N溝道（雙通道），肖特基
漏源電壓(Vdss) 30V
持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
導(dǎo)通電阻(Rds On) @ Id, Vgs 4mΩ @ 10A, 10V, 1.9mΩ @ 10A, 10V
閾值電壓(Vgs(th))（最大值）@ Id 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA
柵極電荷(Qg)（最大值）@ Vgs 22nC @ 10V, 56nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V
功率 - 最大 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)

特性
第四代溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管®功率MOSFET
集成肖特基二極管的SkyFET®低側(cè)MOSFET
100% Rg與UIS測(cè)試通過(guò)

應(yīng)用
CPU核心供電
計(jì)算機(jī)/服務(wù)器外圍設(shè)備
電源直降轉(zhuǎn)換器
同步降壓轉(zhuǎn)換器
電信DC/DC轉(zhuǎn)換器

APW8743CQBI-TRG 高壓雙通道開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述
APW8743CQBI-TRG是一款高壓雙通道開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器，專為Tiger Lake(TGL)* VNN和V1P05A應(yīng)用提供供電電壓而設(shè)計(jì)。該器件專為滿足應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，在4至50mA輕載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，同時(shí)可提供高達(dá)500mA的峰值電流。

特性
支持5.0V至22V寬輸入電壓范圍
1個(gè)高效率COT模式，為VNN_BYP提供0.5A輸出電流能力
1個(gè)高效COT模式，V1P05A_BYP輸出電流達(dá)0.5A
各通道固定500kHz開(kāi)關(guān)頻率
自動(dòng)切換PWM/PFM控制模式
采用低ESR陶瓷輸出電容確保穩(wěn)定性
內(nèi)置VIN和VCC上電復(fù)位控制
內(nèi)置電流限制保護(hù)（帶鎖存關(guān)斷模式）
內(nèi)置欠壓保護(hù)（帶鎖存關(guān)斷模式）
內(nèi)置過(guò)壓保護(hù)（帶鎖存關(guān)斷模式）
內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)
VNN_BYP與V1P05A_BYP獨(dú)立EN控制
VNN_BYP與V1P05A_BYP共用POK信號(hào)指示器
內(nèi)置獨(dú)立VID控制（VNN_BYP & V1P05A_BYP）
TQFN 3x3-16B封裝

應(yīng)用領(lǐng)域
筆記本電腦
顯卡
主板

AT24C16C-SSHM-T 16Kbit 1MHz I²C串行EEPROM存儲(chǔ)器

產(chǎn)品描述
AT24C16C-SSHM-T是一款16Kbit 1MHz I²C串行EEPROM存儲(chǔ)器。

規(guī)格參數(shù)
存儲(chǔ)器類型非易失性
存儲(chǔ)器格式 EEPROM
制造工藝 EEPROM
存儲(chǔ)容量 16Kbit
存儲(chǔ)器組織 2K x 8
存儲(chǔ)器接口 I2C
時(shí)鐘頻率 1 MHz
寫(xiě)入周期時(shí)間 - 字節(jié)/頁(yè) 5ms
訪問(wèn)時(shí)間 550 ns
供電電壓 1.7V ~ 5.5V
工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA)

特性
低電壓工作：
VCC = 1.7V 至 5.5V
內(nèi)部組織為 2,048 x 8 (16K)
工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 +85°C
I2C 兼容（雙線）串行接口：
100 kHz 標(biāo)準(zhǔn)模式，1.7V 至 5.5V
400 kHz 快速模式，1.7V 至 5.5V
1 MHz 快速模式增強(qiáng)版 (FM+)，2.5V 至 5.5V
施密特觸發(fā)器，帶濾波輸入以抑制噪聲
雙向數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議
寫(xiě)保護(hù)引腳實(shí)現(xiàn)全陣列硬件數(shù)據(jù)保護(hù)
超低工作電流（最大 3 mA）和待機(jī)電流（最大 6μA）
16字節(jié)頁(yè)寫(xiě)入模式：
支持部分頁(yè)寫(xiě)入
隨機(jī)與順序讀取模式
自時(shí)序?qū)懭胫芷凇?毫秒
ESD防護(hù)>4,000V
高可靠性：
耐用性：1,000,000次寫(xiě)入循環(huán)
數(shù)據(jù)保留期：100年
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
晶圓銷售選項(xiàng)：晶圓形式

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