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標(biāo)題: MEMS麥克風(fēng)INMP621ACEZ，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器A4994KLPTR，運(yùn)算放大器OP37GSZ，MOSFET晶體管IRFP90N20DPBF [打印本頁]
作者: xingjijinhua    時(shí)間: 2025-11-29 10:54
標(biāo)題: MEMS麥克風(fēng)INMP621ACEZ，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器A4994KLPTR，運(yùn)算放大器OP37GSZ，MOSFET晶體管IRFP90N20DPBF
星際金華，明佳達(dá)供應(yīng) MEMS麥克風(fēng)INMP621ACEZ，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器A4994KLPTR，運(yùn)算放大器OP37GSZ，MOSFET晶體管IRFP90N20DPBF


INMP621ACEZ 低功耗底部開孔全向MEMS麥克風(fēng)

產(chǎn)品描述
INMP621ACEZ是一款高聲壓級(jí)(SPL)、超低噪聲、低功耗、數(shù)字輸出的底部開孔全向MEMS麥克風(fēng)。其削波點(diǎn)為133 dB SPL，適用于嘈雜環(huán)境中的清晰音頻采集。該產(chǎn)品由MEMS麥克風(fēng)元件、阻抗轉(zhuǎn)換放大器及四階Σ-Δ調(diào)制器構(gòu)成。其數(shù)字接口支持通過單時(shí)鐘信號(hào)在單數(shù)據(jù)線上實(shí)現(xiàn)兩個(gè)麥克風(fēng)脈沖密度調(diào)制（PDM）輸出的時(shí)分復(fù)用。本器件與INMP421及INMP521麥克風(fēng)引腳兼容，提供便捷的升級(jí)路徑。

INMP621ACEZ提供高達(dá)65 dBA的信噪比(SNR)和-46 dBFS的靈敏度。其擴(kuò)展寬帶頻率響應(yīng)確保自然音質(zhì)與高語音清晰度。低功耗特性配合小于5.5 µA的睡眠模式電流，可延長(zhǎng)便攜式應(yīng)用的電池壽命。

INMP621ACEZ采用4 mm × 3 mm × 1 mm超薄表面貼裝封裝，支持回流焊接且不影響靈敏度。

產(chǎn)品特性
高聲壓過載點(diǎn)：133 dB SPL
4×3×1 mm超薄表面貼裝封裝
全向性響應(yīng)
超高信噪比(SNR)：65 dBA
靈敏度：-46 dBFS
擴(kuò)展頻率響應(yīng)：45 Hz至>20 kHz
低功耗：1.2 mA
延長(zhǎng)電池壽命的睡眠模式：5.5 µA
高電源抑制比(PSR)：−100 dBFS
四階Σ-Δ調(diào)制器
數(shù)字脈沖密度調(diào)制（PDM）輸出
兼容含鉛/無鉛焊接工藝
符合RoHS/WEEE指令

應(yīng)用領(lǐng)域
平板電腦
筆記本電腦
智能手機(jī)
麥克風(fēng)陣列
電話會(huì)議系統(tǒng)
數(shù)碼相機(jī)與攝像機(jī)
藍(lán)牙耳機(jī)
安防監(jiān)控系統(tǒng)

A4994KLPTR DVR雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品描述
A4994KLPTR是一款采用DMOS技術(shù)、通過并行接口控制的集成式雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，集控制級(jí)與功率級(jí)于一體。適用于驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)，符合汽車級(jí)AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，可在-40°C至150°C嚴(yán)苛溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。

核心參數(shù)
主要功能：雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
電機(jī)類型：有刷直流電機(jī)
輸出配置：全橋
技術(shù)：DMOS
控制接口：并行
工作電壓：0V至50V
輸出電流：800mA
工作溫度：-40°C至150°C

應(yīng)用領(lǐng)域
憑借寬電壓范圍（0V-50V）、800mA輸出電流能力及符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的特性，該產(chǎn)品常用于汽車電子應(yīng)用。典型應(yīng)用包括座椅、風(fēng)扇、雨刷器等系統(tǒng)中小型有刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。

OP37GSZ低噪聲精密高速運(yùn)算放大器

產(chǎn)品描述
OP37GSZ在保持OP27高性能特性的基礎(chǔ)上，針對(duì)增益大于五的電路進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。該改進(jìn)方案實(shí)現(xiàn)17V/µsec的壓擺率和63MHz的增益帶寬積。
OP37GSZ 結(jié)合了 OP07 的低偏移和漂移特性與更高的速度和更低的噪聲，其偏移量低至 25µV，最大漂移為 0.6µV/°C，是精密儀器應(yīng)用的理想選擇。其超低噪聲（10Hz時(shí)為3.5nV/√Hz）、低1/f噪聲截止頻率（2.7Hz）以及高達(dá)180萬倍的增益，可實(shí)現(xiàn)低電平信號(hào)的高精度高倍放大。

特性
低噪聲：80 nV峰峰值（0.1 Hz至10 Hz）
3 nV/√Hz @ 1 kHz
低漂移：0.2 µV/°C
高速：17 V/µs壓擺率
63 MHz增益帶寬
低輸入偏置電壓：10 µV
卓越共模抑制比：126 dB（11 V共模電壓）
高開環(huán)增益：180萬倍
替代725、OP-07、SE5534（增益>5時(shí)）
提供裸片形式

IRFP90N20DPBF 200V單N溝道功率MOSFET晶體管

產(chǎn)品描述
IRFP90N20DPBF是一款采用TO-247封裝的200V單N溝道功率MOSFET晶體管。該器件適用于直流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源、照明系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)及電池供電等多種應(yīng)用場(chǎng)景。提供表面貼裝與通孔封裝兩種形式，均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸布局，確保設(shè)計(jì)靈活性。

特性
平面晶體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬安全工作區(qū)
優(yōu)化設(shè)計(jì)確保廣泛可用性
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品認(rèn)證
針對(duì)應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化的硅材料
符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通孔功率
高額定電流

應(yīng)用領(lǐng)域
高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器





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