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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

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VBsemi 發布時間: 2023-11-23 17:39 正文摘要: SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數說明：P溝道，-60V，-5.2A，導通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-2V，封裝：SOT23。 應用簡介：SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。 其低導通電阻 ...

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