VBsemi 發表了新話題 STS4DNF60L-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應用分析
STS4DNF60L (VBA3638)參數說明：2個N溝道，60V，6A，導通電阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓1.5V，封裝：SOP8。 應用簡介：STS4DNF60L適用于高 ...- VBsemi 發表了新話題 STP30NF20-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應用分析
STP30NF20 (VBM1208N)參數說明：N溝道，200V，35A，導通電阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，閾值電壓3V，封裝：TO220。 應用簡介：STP30NF20適用于高電壓應用，如電 ... - VBsemi 發表了新話題 ST2341S23RG-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析
ST2341S23RG (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。 應用簡介：ST2341S ... - VBsemi 發表了新話題 SPD30P06PG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析
SPD30P06PG (VBE2658)參數說明：P溝道，-60V，-22A，導通電阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.5V，封裝：TO252。 應用簡介：SPD30P ... - VBsemi 發表了新話題 SI9945AEY-T1-E3-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應用分析
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)參數說明:極性：2個N溝道；額定電壓：60V；最大電流：6A；導通電阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓 ...
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- AI驅動的功率器件優化：IPW65R019C7-VB在高效電源管理中的應用 2025-03-24
- 隨著人工智能（ AI）技術的快速發展，從數據中心到邊緣計算，從自動駕駛到智能家居，AI正深刻改變著我們的生活和工作方式。然而，AI系統的高性能需求也對硬件 ...
- VBGE2104N MOSFET：AI驅動的能效革命，開啟高效功率管理新時代 2025-03-18
- 基于數字D類音頻功放的音頻設備中MOS管的解決方案 2020-12-22
- 一、數字 D 類音頻功率放大器 消費者們越來越在意其購入的音頻設備的便攜性、智能程度和時尚性，不管是最近華為與 GENTLE ...
- MOS管在電機控制開關電源中的解決方案 2020-12-19
- 開關電源 在科技日新月異的時代里，人們對電子產品的需求量飛速膨脹，而電源是電子設備的心臟，所以日益增長的市場需 ...
- 電動車自適應無刷直流電機控制器中MOS管解決方案 2020-12-18
- 電動車電機控制器 綠色環保的新能源是這個時代社會發展的主流要求，純電動車也順應時代發展取代混合動力車成為了社會行業 ...
- 汽車照明LED驅動電源中MOS管解決方案 2020-12-17
- 汽車 LED 照明 LED 作為汽車照明電子的應用主流，是一部汽車中不可或缺的重要部件。由于 LED 獨特的電氣特性，需要專門的驅動電 ...
- USB PD大功率快充移動電源中的N溝道MOS管 2020-12-14
- 一、快充與場效應管 消費電子市場的火爆場面拉動了快充的內需，而快 充的興起也帶動了MOSFET的需求增長 。 用于整流同步的MOS管，可以保證在快充電源 ...
- 一種體積小且線路簡單的全數字化無刷直流電機控制系統中MOS管的應用選擇 2020-12-12
- 一、無刷直流電機 無刷直流電機（ Brushless Direct Current Motor ， BLDCM ）克服了有刷直流電機的缺點，用電子換向器取代了機械換向器， ...
- IPB180N10S403ATMA1-VB 與 AI 的融合：開啟功率器件智能化新時代
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