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器件具有0.1%的容差和25ppm/℃的TCR Vishay推出通過(guò)QPL MIL-PRF-55342測(cè)試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達(dá)到100ppm的“M”級(jí)失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造，為國(guó)防和航天應(yīng)用提供了增強(qiáng)的性能規(guī)格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。 
E/H (Ta2N) QPL電阻適用于國(guó)防和航天應(yīng)用的控制系統(tǒng)，這些應(yīng)用需要考慮在潮濕條件下工作或長(zhǎng)期的儲(chǔ)存問(wèn)題。器件的氮化鉭電阻膜可確保耐潮水平超過(guò)MIL-PRF-55342限值的50倍。 E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25dB的極低噪聲和0.5ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞式端接采用了一個(gè)粘性很強(qiáng)的粘合層，上面覆蓋的電鍍鎳柵層可適應(yīng)+150℃的工作條件，對(duì)典型電阻的影響小于0.010Ω。 新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級(jí)為50mW～1000mW，工作電壓為40V～200V，根據(jù)不同的容差，阻值范圍為49.9Ω～3.3MΩ。 E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電容器現(xiàn)已量產(chǎn)，供貨周期為八周到十周。 |
