|
日前，一支來自新加坡一家微電子研究所ASTAR的團隊制作出一種小型的傳感器，這種傳感器將一個穩定的膜片與易傳感的硅納米線結合在一起，從而使得MEMS壓力傳感器可以更穩定耐用，適用于醫療器械。 原則上來講，設計一個小型的壓力傳感器是很簡單的：一個壓力變形隔膜嵌入一個壓敏電阻器就可以了，這個壓敏電阻器必須是由硅納米線等會由壓力引起抗電阻性變化的材料制成。但事實上卻會出現問題，包括電路設計和和脆弱的組件，任何地方出現差錯都是商用傳感器的致命傷。 由于這個隔膜必須將很小的壓力變化傳到到壓敏電阻器，同時要抵抗變形和破損，因此，這個隔膜材料的選擇就顯得至關重要。于是羅和他的同事們想到用二氧化硅來展現完美的壓力傳感性能。然而，二氧化硅雖有優越的傳感性能，但也不能戰勝易彎曲性這個弱點。所以，羅將解決方案改為用雙層的二氧化硅，同時將壓阻式的硅納米線放在兩者中間，頂層再加一層性能穩定的氮化硅。
通過蝕刻氮化硅和變化厚度、調整硅納米線，這個團隊最終發現了最優的組合。最后的傳感器成功地滿足了抵抗變形和機械損壞的同時仍然可以提供在壓力感應下電輸出的線性變化，符合高精度的醫療器械應用要求。 這個團隊的主要目標是制造出一種可植入的微型醫療設備，盡管要實現這一目標還需要依靠廣泛的電路研究和測試。 目前的MEMS壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器，兩者都是在硅片上生成的微機械電子傳感器。 硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的，具有較高的測量精度、較低的功耗和極低的成本。惠斯頓電橋的壓阻式傳感器，如無壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電。 MEMS硅壓阻式壓力傳感器采用周邊固定的圓形應力杯硅薄膜內壁，采用MEMS技術直接將四個高精密半導體應變片刻制在其表面應力最大處，組成惠斯頓測量電橋，作為力電變換測量電路，將壓力這個物理量直接變換成電量，其測量精度能達0.01-0.03%FS。硅壓阻式壓力傳感器結構，上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成一應力杯，其應力硅薄膜上部有一真空腔，使之成為一個典型的絕壓壓力傳感器。應力硅薄膜與真空腔接觸這一面經光刻生成的電阻應變片電橋電路。當外面的壓力經引壓腔進入傳感器應力杯中，應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起，發生彈性變形，四個電阻應變片因此而發生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。 電容式壓力傳感器利用MEMS技術在硅片上制造出橫隔柵狀，上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器，上橫隔柵受壓力作用向下位移，改變了上下二根橫隔柵的間距，也就改變了板間電容量的大小，即△壓力=△電容量。 |
