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安森美半導體推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ硅銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。 HighQ IPD2工藝是安森美半導體定制代工部眾多創新制造服務之一，采用先進的8英寸晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無線應用。基于IPD2的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長電池使用時間)。 安森美半導體為其IPD2工藝技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們復雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉換至IPD2工藝。 |
