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器件爬電距離10mm，具有1MBd和10MBd的速率 Vishay推出新系列具有1MBd和10MBd數據速率的高速器件---VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611，擴充其高隔離電壓光耦的VOW Widebody家族。這些器件是為在高壓新能源和工業應用里提高可靠性而設計的，VIOTM為8000V，VIORM為1414V，外部爬電距離大于10mm。 
今天推出的Vishay Semiconductors VOW Widebody光耦由一個GaAIAs紅外發光二極管組成，二極管與集成的光探測器形成光學耦合。高安全隔離電壓提高了產品的耐用度，除此以外，這些器件內部采用了Faraday屏蔽，在輸入和輸出之間具有高功率開關應用所必需的非常高的噪聲隔離能力。 VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611是為在太陽能逆變器等新能源，運動和電機控制以及焊接設備等工業應用里隔離低壓和高壓電路而設計的。采用VOW Widebody器件，就不需要昂貴的帶保形鍍膜的方案，讓設計者能夠以低成本和小尺寸來滿足國內外安全法規的要求。 VOW135和VOW136可抵御1000V/μs的共模瞬態，1MBd數據速率下高電平和低電平傳播延遲小于2μs。VOW137和VOW2611的數據速率為10 MBd，可抵御40000V/μs的共模瞬態，同時將高電平和低電平傳播延遲保持在100 ns以下，高脈沖寬度畸變小于40ns。 VOW Widebody光耦采用爬電距離大于10mm的DIP-8 400mil Widebody通孔封裝和表面貼裝的彎引腳封裝。器件符合RoHS指令2011/65/EU及Vishay的綠色標準，滿足UL、cUL、VDE和CQC 5000 m強化絕緣的要求。 |
