三星量產全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內存顆粒

發布時間：2010-7-22 10:14 發布者：嵌入式公社

關鍵詞： 30nm , DDR3

三星電子今天宣布，已經開始在全球范圍內首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產2Gb DDR3內存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MHz，而在PC應用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。

該顆粒屬于三星的綠色內存系列，在服務器應用中能比50nm級工藝產品節約最多20%的功耗，在多核心PC系統中30nm級工藝4GB DDR3內存條相比50nm級2GB DDR3內存條速度快60%、功耗低65%。

三星會很快將這種30nm級工藝內存顆粒投入全面應用，生產4/8/16/32GB RDIMM服務器內存條、2/4/8GB UDIMM工作站和桌面內存條、2/4/8GB SO-DIMM筆記本和一體機內存條，并計劃在今年底將其容量翻番到4Gb。

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