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新的知識產權(IP)將加速產品面市時間并降低開發周期風險 安森美半導體(ON Semiconductor)宣布與Hexius半導體合作，從而使其部分模擬知識產權(IP)能用于受歡迎的ONC18 0.18 µm CMOS工藝中。這使安森美半導體能更好地服務客戶，提供經證實的模擬IP，可最終減少設計周期和產品面市時間。由該合作產生的八個初始設計包括各種不同的模擬-數字轉換器、數字-模擬轉換器、電壓基準和電流基準。視乎需要，這些設計可按規定定制，以滿足特定的應用需求。進一步的數據轉換器和鎖相環(PLL)設計目前正在開發中，將于今年晚些時候內推出。 安森美半導體的ONC18工藝基于一個0.18微米（µm）CMOS結構，由于具備高電壓能力，特別適用于汽車、工業、軍事和醫療的使用。客戶獲得權限使用支援該工藝的寬廣陣容的合格IP，將受益于為其特定要求而高度優化的專用集成電路(ASIC)的實施，而無需為設計項目分配太多自己的工程資源。因此，可實現更快的設計周期、降低重新設計的風險并減少相關成本。 安森美半導體定制代工業務部總監Rocke Acree說：“由于系統需要利用由傳感器和用戶接口捕獲的真實數據，混合信號ASIC市場持續增長。OEM正尋求集成更高效的專有設計，而不是依靠標準的現成元器件，以提高性能水平，節省板空間和顯著降低單位成本。通過合作，安森美半導體和Hexius半導體提供所需的合格的模擬IP，以促進這一轉變，并實現一個混合信號設計的新時代。” Hexius半導體首席執行官Chris Cavanagh說：“通過結合我們兩家公司各自擁有的技能，我們能為行業提供出色半導體工藝的合格模擬IP宏單元，帶來明顯的性能和物流優勢。這將支持OEM廠商更快地應對他們已確定的市場機會，在盡可能短的時間內令產品從概念到投入全面商業化生產。” |
