国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

英特爾三星東芝聯手開發10納米芯片工藝

發布時間：2010-11-1 10:14    發布者：李寬
關鍵詞： 10納米 , 工藝
據國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯手開發新技術，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。

據《日經新聞》報道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結成合作伙伴，并邀請大約10家半導體材料及其他領域的企業加入這一聯合體。

據稱，日本經濟產業省有可能提供大約50億日元(約合6121萬美元)作為研發啟動資金。參與此項目的各家企業將再提供50億日元。

東芝和三星電子計劃利用新技術制造10納米級別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開發更快的微處理器。
本文地址：http://m.4huy16.com/thread-35467-1-1.html     【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

  • Microchip視頻專區
  • 電動兩輪車設計生態系統
  • Microchip第22屆中國技術精英年會上海首站開幕
  • “芯”光璀璨，鵬城共賞——2025 Microchip中國技術精英年會深圳站回顧
  • Microchip第22屆中國技術精英年會——采訪篇
  • 貿澤電子(Mouser)專區

相關視頻

關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
快速回復 返回頂部 返回列表