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恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波(CW)，比目前市場上同類產品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術LDMOS，突破了半導體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業系統中替代真空管的極具吸引力的產品。 這款晶體管簡單易用，極大方便了微波發生器設計人員。與真空管時代的技術（如磁控管）相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全動態范圍內進行精確的功率控制，并可實現頻移，有助于精確地使用射頻能量。而且，MRF13750H的性能隨時間推移下降很小，能夠運行數十年，降低了總擁有成本。MRF13750H的工作電壓為50V，比磁控管更安全。另外，固態功率放大器尺寸小，有助于實現設計冗余和靈活性。 恩智浦市場射頻功率工業技術高級總監兼總經理Pierre Piel表示：“長期以來，半導體器件的可靠性和優異的控制特性早已得到認同，但是工業系統設計人員難以組合多個晶體管來匹配磁控管的功率水平。現在憑借MRF13750H的優異性能，工業加熱工程師能在非常高功率的系統中使用這種晶體管。” 射頻能量聯盟執行董事Klaus Werner表示：“鑒于固態射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優勢，射頻能量聯盟(RFEA)認為該技術有著不可估量的市場機會，不僅能夠改善現有的射頻能量應用，而且有助于開發新的能量應用。新產品MRF13750H的強大性能無疑將加速行業向固態射頻技術的轉型。” 這款新晶體管專為工業、科學和醫療(ISM)應用而設計，范圍從700MHz至1300MHz，特別適合工業加熱/干燥、固化和材料焊接及顆粒加速器應用。MRF13750H在915MHz時可提供750W CW，效率為67％，封裝為3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封裝。 上市時間 MRF13750H現已提供樣品，將于2017年12月量產。915MHz CW參考電路現已提供。如需數據手冊或更多信息，請訪問www.nxp.com/MRF13750H。 |
