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爾必達公司近日宣布已經完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內存芯片的研發工作，今年11月份這種芯片將進入送樣階段，年底前則可實現正式批量供貨。據爾必達公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產品提升44%，而1.6Gbps數據傳輸率的產品良率更可達100%。 比較舊有的50nm制程產品，新40nm 2Gb DDR3內存驅動電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的耗電量便可比過去下降45%左右。 爾必達同時表示，從50nm制程轉換到40nm制程的成本很低，幾乎相當于零，而從65nm制程技術轉換至40nm所需的成本也可以控制在比較理想的范圍之內。 除了積極開發更小尺寸的制程工藝技術之外，爾必達同時也在積極完善現有的舊制程技術，他們正在開發65nm XS制程技術，這種技術據稱可與其它公司的50nm制程級別產品一爭高下。此外爾必達公司也在開發一種可以利用65nm制程技術造出更小芯片尺寸產品的技術。 爾必達還表示，其在下屬臺灣合資企業中推進40nm制程的政策將采取靈活應變的思路，會根據市場需求的實際變化來做出決定。 另外，爾必達還宣稱采用了新制造系統（即按產品類別區分產線，將移動產品用內存和PC內存等不同用途的產品安排在不同的產線上生產）的廣島分廠的產品良率取得了不錯的提升。 爾必達表示如果未來的DRAM內存市場狀況允許，他們有可能會將40nm制程產品的產出量提升到總產量的50%。 相比之下,韓國廠商三星則早在今年七月份即宣稱完成了40nm制程2Gb DDR3 1600內存芯片的研發工作，這種內存芯片工作電壓可低至1.35v。 CNBeta編譯 原文：digitimes |
