美國工程院、中國工程院、臺灣中研院施敏院士在北工大-Xilinx合作大會上剛剛做的特邀報告
大會特邀報告施敏院士.pdf
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施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業，臺灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業于臺灣大學。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學和斯坦福大學碩士與博士學位。 施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家。他是非揮發MOS場效應記憶晶體管（MOSFET）的發明者，這項發明已成為世界集成電路產業主導產品之一，90年代初其產值已達100億美元。此外，他還有多項創造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關系，建立了微電子元件最高電場的指標，如此等等。 施敏博士在微電子科學技術著作方面舉世聞名，對半導體元件的發展和人才培養方面，作出貢獻。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養方面的貢獻，先后被選為臺灣中央研究院院士和美國國家工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽獎（Ebers獎），稱他在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。 施敏博士多次來國內講學，參加我國微電子器件研討會；他對臺灣微電子產業的發展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示愿為我國微電子產業的發展提供咨詢。 |
