東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門，成為業界首個能夠投入實際生產的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善，實現了這次突破。
在傳統工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅（Bulk）CMOS在20nm級制程下已經很難實現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料中，最頂層為外延硅，中間硅層摻雜碳，底層則摻雜硼（nMOS）或砷（pMOS）。 東芝宣稱，這種新工藝在性能上比傳統溝道結構提升了15%到18%，并且通過簡單的工藝改進即可實現，不需要使用成本更高的SOI工藝或3D柵極結構。 來源：驅動之家 |
