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EMI502NL16VM系列由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。這些系列支持工業溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統設計。該系列還支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實現電池備份操作。此款國產SRAM芯片可替換ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技術支持及樣品測試。 特征 ●工藝技術：全CMOS ●位寬：128Kx16位 ●電源電壓：2.3V〜3.6V ●低數據保持電壓：1.5V（最小值） ●三態輸出和TTL兼容 ●標準44TSOP2，48BGA ●工業操作溫度 引腳封裝 ISSI IS6164WV12816EDBLL是一種高速的2,097,152位靜態RAM，以131,072個字乘16位組織。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的設備。IS61WV12816EDBLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP-II和48引腳BGA中。 特征 CMOS待機 •單電源 -Vdd2.4V至3.6V（10ns） -Vdd3.3V±10％（8ns） •完全靜態操作：無需時鐘或刷新 •三態輸出 •高低字節數據控制 •工業和汽車溫度支持 •無鉛可用 •錯誤檢測和錯誤糾正 引腳封裝 EMI502NL16VM規格書下載 
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