PIN二極管結構

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一般的二極管是由N型雜質摻雜的半導體材料和P型雜質摻雜的半導體材料直接構成形成PN結。而PIN二極管是在P型半導體材料和N型半導體材料之間加一薄層低摻雜的本征（Intrinsic）半導體層。

因為本征半導體近似于介質，這就相當于增大了P-N結結電容兩個電極之間的距離，使結電容變得很小。其次，P型半導體和N型半導體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結電容也要變得很小。

由于I層的存在，而P區一般做得很薄，入射光子只能在I層內被吸收，而反向偏壓主要集中在I區，形成高電場區，I區的光生載流子在強電場作用下加速運動，所以載流子渡越時間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應。同時I層的引入加大了耗盡區，展寬了光電轉換的有效工作區域，從而使靈敏度得以提高。


PIN二極管原理

因為 PIN二極管的射頻電阻與直流偏置電流有關，所以它可以用作為射頻開關和衰減器。串聯射頻開關電路：當二極管正偏時，即接通（短路）；當二極管零偏或者反偏時，不僅開關的最高工作頻率會受到限制，最低工作頻率也會受到限制，如PIN管就不能控制直流或低頻信號的通斷。受管子截止頻率的影響，開關還有一個上限工作頻率。要求開關的頻帶盡量寬，因為信號源的頻帶越來越寬。

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