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茂矽六寸IGBT晶圓開啟智能新能源汽車新時(shí)代

發(fā)布時(shí)間:2022-7-13 18:19    發(fā)布者:isweek
關(guān)鍵詞: IGBT , 晶圓 , 晶圓片 , 新能源汽車
  我國是世界最大的功率[url=]半導(dǎo)體[/url]消費(fèi)市場;隨著電動(dòng)車市場崛起;電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動(dòng)能;[url=]新能源汽車[/url]需求帶動(dòng)MOSFETIGBT持續(xù)增長;作為其核心部件的IGBT產(chǎn)品具有廣闊的市場前景。
  IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?俗稱電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),被譽(yù)為綠色能源的“核芯”。
  目前國內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流;平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片,低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流;
  電動(dòng)汽車使用到IGBT的裝置主要有五項(xiàng)(包含逆變器、直流/交流電變流器、車載充電器、電力監(jiān)控系統(tǒng)以及其他附屬系統(tǒng)),其中,逆變器、直流/交流電變流器以及車載充電器對(duì)電動(dòng)汽車性能表現(xiàn)影響最為關(guān)鍵;IGBT是影響電動(dòng)車性能的關(guān)鍵技術(shù),其成本占整車成本的5%左右。
  對(duì)于電動(dòng)車而言,IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。
  高功率IGBT是電動(dòng)車馬達(dá)系統(tǒng)的關(guān)鍵元件及能量耗損之處,一旦馬達(dá)系統(tǒng)效率提升,將能帶動(dòng)電動(dòng)車速度、降低散熱系統(tǒng)需求并提高電池續(xù)航力;
  臺(tái)灣茂矽電子降低晶圓導(dǎo)通電阻,通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率,并改善電動(dòng)車關(guān)鍵零組件多得向英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(ST)等國外大廠購買的情形。
  目前市面上出現(xiàn)的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm,分別對(duì)應(yīng)6英寸、8英寸、12英寸的晶圓;國產(chǎn)芯片在晶圓的產(chǎn)能上,也就是在6寸上有優(yōu)勢;
  全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺(tái)灣15座,中國8座)在2019-2021產(chǎn)能僅擴(kuò)廠5%,仍不足以滿足后續(xù)電動(dòng)車與工業(yè)控制市場,導(dǎo)致IGBT持續(xù)漲價(jià)。
  由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡單的平行技術(shù)。
  芯片圖:
  茂矽電子成立于1987年,晶圓制造長期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域,以MOS管、IGBT,模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主,打破國外壟斷現(xiàn)象。
  ISweek工采網(wǎng)與茂矽電子強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,給國內(nèi)客戶提供更有效的技術(shù)支持和專業(yè)服務(wù),更多產(chǎn)品選型及詳情與應(yīng)用說明規(guī)格書等可致電或加V:19168597394(微信同號(hào)),獲取相關(guān)商品、詢價(jià)單,申請(qǐng)樣品,期待您的光臨。


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