256Mb自旋轉移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

發布時間：2022-9-27 17:37 發布者：英尚微電子

關鍵詞： DDR , MRAM , EMD3D256M

EMD3D256M DDR3自旋轉移扭矩MRAM是一種容量為256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存儲器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達 1333MT/Sec/Pin的速率進行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接 (ODT) 和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫入周期耐久性的優勢。采用Spin-Torque MRAM 技術，無需單元刷新，極大地簡化了系統設計并降低了開銷。

Everspin自旋轉移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步，輸入鎖存在時鐘交叉點。I/O與一對雙向選通脈沖（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路復用方案，工作電壓為 1.5V。更多產品詳情請洽英尚國際。

DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。每當設備因任何原因斷電時，關閉/預充電銀行中的所有數據都會保留在內存中。在某些情況下，命令時間會有所不同。DDR3 標準適用于高于256Mb的密度，從而導致尋址和頁面大小不同。

本文地址：http://m.4huy16.com/thread-802210-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。