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電力電子與新能源越來(lái)越歡迎SiC MOSFET（國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS管）技術(shù)

發(fā)布時(shí)間：2022-11-11 15:47    發(fā)布者：Eways-SiC
電力電子與新能源越來(lái)越歡迎SiC MOSFET（國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS管）技術(shù) 碳化硅(SiC)MOS管 應(yīng)用設(shè)計(jì).pdf (2.21 MB)   這是因?yàn)樘蓟柘到y(tǒng)能為電力電子技術(shù)與新能源帶來(lái)眾多好處。首先是成本，以新能源車充電機(jī)（OBC）為例,能夠?yàn)镈C/DC模塊可以省去大量的柵極驅(qū)動(dòng)和磁性元件，相比硅MOS系統(tǒng)，通常碳化硅能夠?qū)BC系統(tǒng)成本降低20%左右。其中，采用SiC技術(shù)后，雙向OBC的散熱成本可降低三分之一。   其次是體積和效率。

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Eways-SiC 發(fā)表于 2022-11-15 15:50:53
碳化硅MOS 前景怎么樣？
Eways-SiC 發(fā)表于 2022-11-16 12:13:47
SIC 寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)
Eways-SiC 發(fā)表于 2022-11-21 09:05:36
碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規(guī)格的OBC的PFC和LLC大批量使用。
Eways-SiC 發(fā)表于 2022-11-21 12:06:29
Eways-SiC 發(fā)表于 2022-11-24 15:11:12
第三代半導(dǎo)體SiC ，OBC、光伏儲(chǔ)能 大量采用
Eways-SiC 發(fā)表于 2022-12-5 10:27:12
第三代半導(dǎo)體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-2-3 10:40:36
第三代半導(dǎo)體SiC MOS管 ，OBC、光伏儲(chǔ)能 大量采用
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-6-6 15:18:38
效率得到提升，節(jié)省空間、重量減輕，零件數(shù)量減少，系統(tǒng)可靠性增強(qiáng)。
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-8-14 08:32:47
碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-9-13 17:20:56
效率得到提升，節(jié)省空間、重量減輕，零件數(shù)量減少
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-2-22 10:35:16
SiC MOSFET碳化硅半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)以及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 電子工程網(wǎng)  http://m.4huy16.com/thread-838162-1-1.html
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