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1、IDM模式為主 目前氮化鎵產業鏈行業龍頭企業以IDM模式為主，但是設計與制造環節已經開始出現分工。從氮化鎵產業鏈公司來看，國外公司在技術實力以及產能上保持較大的領先。中國企業仍處于起步階段，雖已初步形成全產業鏈布局，但市場份額和技術水平仍相對落后。 2、國產化進程 國產企業英諾賽科已建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線，目前產能達到每月1萬片/月，并將逐漸擴大至7萬片/月。大連芯冠科技在氮化鎵功率領域，已實現6英寸650V硅基氮化鎵外延片的量產，并發布了比肩世界先進水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產品；在氮化鎵射頻領域，已著手進行硅基氮化鎵外延材料的開發、射頻芯片的研發與產業化準備工作。 由于GaN場效應晶體管（FET）支持更快的開關速度和更高的工作頻率，有助于改善信號控制，為無源濾波器設計提供更高的截止頻率，降低紋波電流，從而幫助縮小電感、電容和變壓器的體積。從而構建體積更小的緊湊型系統解決方案，最終實現成本的節約。 當前的功率GaN FET有兩個主流方向：增強型（E-Mode，單芯片常關器件）和耗盡型（D-Mode，雙芯片常關器件）。目前E-Mode柵極有穩定性和漏電流的問題，而驅動雙芯片常關（或者說共源共柵配置）的D-Mode器件則更簡單并穩健。所以，對于可高達1 MHz開關頻率的操作，共源共柵GaN FET最為適合。 氮化鎵功率器件分為增強型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）兩種，增強型是常關的器件，耗盡型是常開的器件。 GaN射頻器件（功率放大器PA、低噪聲放大器LNA、射頻開關SW ITCH、單片集成電路MMIC） GaN功率器件目前大多采用GaN-on-Si的技術，相比于昂貴的SiC襯底，采用Si襯底的GaN功率器件優勢主要在中低壓領域，市面上產品工作電壓主流產品在1000V以下，但近年也出現1200V甚至更高電壓的GaN-on-Si功率器件。 |
