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碳化硅MOS管電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流5A-150A 。

發布時間：2023-2-17 17:19    發布者：Eways-SiC
SiCMOS管國產實現電壓650V-3300V，電流5A-150A 。 碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產.pdf (9.39 MB)       碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產品應用、驅動、系統方案2024（8）.pdf (4.14 MB)   碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
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Eways-SiC 發表于 2023-2-24 18:00:06
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Eways-SiC 發表于 2023-3-17 10:12:18
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SiC 功率電子器件的主要優點是開關頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡單。
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碳化硅MOS具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點
Eways-SiC 發表于 2023-6-27 09:12:29
碳化硅MOS管后續推出6500V。
Eways-SiC 發表于 2023-7-24 09:39:21
通過IATF16949、ISO9001等質量體系和第三方AEC-Q101產品可靠性認證。
Eways-SiC 發表于 2023-8-23 09:25:54
3300V批量了
Eways-SiC 發表于 2023-9-18 15:33:41
實現電壓650V-3300V，電流5A-150A
Eways-SiC 發表于 2023-10-18 09:07:15
Eways-SiC 發表于 2023-11-9 14:04:21
AEC-Q101認證 好
Eways-SiC 發表于 2024-1-12 09:21:11
新品有單管達到200A的，1200v內阻9.8毫歐
Eways-SiC 發表于 2024-2-18 11:31:15
碳化硅MOS單管、晶圓芯片，全SiC 模塊
Eways-SiC 發表于 2024-3-27 11:45:23
碳化硅MOS管-SiC MODULE產品技術應用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國產碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A
Eways-SiC 發表于 2024-10-23 11:56:32
碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網  http://m.4huy16.com/thread-838162-1-1.html
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