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分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過多測(cè)試臺(tái)的空間；而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)。 實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 “五合一”高精度數(shù)字源表 “五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程 師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果。本應(yīng)用解決方案介紹了半導(dǎo)體分立器件中最常見的測(cè)試和相關(guān)挑戰(zhàn)，以及普賽斯數(shù)字源表（SMU）怎樣簡(jiǎn)化測(cè)量流程，幫助用戶快速、精準(zhǔn)獲得測(cè)試數(shù)據(jù)或者電流電壓（I-V）、電容電壓（C-V）特性曲線等。 S系列國產(chǎn)源表測(cè)試二極管電性能 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許 電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn) 壓、保護(hù)等電路中，是電子工程上用途最廣泛的電子元 器件之一。 IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主 要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性： 正向特性： 當(dāng)在二極管兩端外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，正向電流幾乎為 零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電 壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，二極 管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用 的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變， 這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。 反向特性： 當(dāng)外加反向電壓時(shí)，如果電壓不超過一 定范圍時(shí)，反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這個(gè) 電流稱為反向飽和電流或漏電流。當(dāng)外加反向電壓超 過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電 擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。 表征二極管性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)主要 包含正向壓降（VF）、反向漏電流（IR）和反向擊穿電壓 （VR）等參數(shù)。 大電流測(cè)試時(shí)，測(cè)試導(dǎo)線的電阻不可忽略，需要使用四線測(cè)量模式，可以消除引線電阻的影響，普賽斯所有源表均支持四線測(cè)量模式。 當(dāng)測(cè)量低電平電流(<1μA)時(shí)，可以使用三軸同軸連接器和三同軸電纜。三同軸電纜由內(nèi)芯（主，對(duì)應(yīng)連 接器為中心觸點(diǎn)）、保護(hù)層（對(duì)應(yīng)連接器為中間圓柱狀 觸點(diǎn)）、外皮屏蔽層組成。在接入源表保護(hù)端的測(cè)試電 路中，由于三同軸的保護(hù)層與內(nèi)芯之間是等電位，不會(huì)有漏電流產(chǎn)生，能夠提高低電流測(cè)試精度。 數(shù)字源表掃描曲線圖： 
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