MOS管導(dǎo)通特性

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    一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

    MOS管是電壓驅(qū)動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)通DS，柵極串多大電阻均能導(dǎo)通。但如果要求開關(guān)頻率較高時，柵對地或VCC可以看做是一個電容，對于一個電容來說，串的電阻越大，柵極達(dá)到導(dǎo)通電壓時間越長，MOS處于半導(dǎo)通狀態(tài)時間也越長，在半導(dǎo)通狀態(tài)內(nèi)阻較大，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS，所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動電路的。

    導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。

    NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。


    但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

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