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我國(guó)首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品成功交付

發(fā)布時(shí)間:2024-9-11 15:27    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 氫離子注入
據(jù)國(guó)家電力投資集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)家電投”)宣布,其下屬的國(guó)電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“核力創(chuàng)芯”)暨國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,已順利完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品的客戶交付。這一事件標(biāo)志著我國(guó)在功率半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵空白。

氫離子注入技術(shù)作為半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),對(duì)集成電路、功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)具有至關(guān)重要的作用。長(zhǎng)期以來,我國(guó)在這一領(lǐng)域的核心技術(shù)及裝備工藝一直受制于人,特別是600V以上高壓功率芯片長(zhǎng)期依賴進(jìn)口,嚴(yán)重制約了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展。

核力創(chuàng)芯此次交付的氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品,歷經(jīng)近萬小時(shí)的嚴(yán)格工藝及可靠性測(cè)試驗(yàn)證,主要技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,獲得了用戶的高度評(píng)價(jià)。

自2021年成立以來,核力創(chuàng)芯在不到三年的時(shí)間里,成功突破了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)壁壘,實(shí)現(xiàn)了100%的自主技術(shù)和裝備國(guó)產(chǎn)化。公司還建成了我國(guó)首個(gè)核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺(tái),為技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供了有力支撐。

此次技術(shù)突破對(duì)于提升我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體水平具有深遠(yuǎn)意義。它不僅打破了國(guó)外在氫離子注入技術(shù)上的壟斷,還為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展開辟了新路徑。未來,隨著市場(chǎng)對(duì)高性能芯片需求的不斷增長(zhǎng),核力創(chuàng)芯所開發(fā)的技術(shù)將有望在更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮作用,推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。

國(guó)家電投表示,氫離子注入技術(shù)的成功應(yīng)用,是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控能力的重要體現(xiàn)。公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入,推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí),為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

業(yè)界專家指出,核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破不僅提升了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在全球市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的地位。
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