如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A至80 A，是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。
采用TO247-4封裝的CoolSiC肖特基二極管2000 V G5 該產品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，間隙距離為5.4 mm，再加上高達80 A的額定電流，顯著提升了功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水平，而元件數量僅為 1200 V SiC解決方案的一半。這簡化了整體設計，實現了從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩過渡。 此外，CoolSiC肖特基二極管2000V G5采用.XT互連技術，大大降低熱阻和阻抗，實現了更好的熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極管對濕度的耐受性。該二極管沒有反向或正向恢復電流，且具有正向低電壓的特點，確保系統性能更優。 2000 V二極管系列與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000 V完美適配。CoolSiC二極管2000 V產品組合將通過提供TO-247-2封裝而得到擴展，該封裝將于2024年12月推出。此外，英飛凌還提供了與CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的柵極驅動器產品組合。 供貨情況 采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC肖特基二極管2000 V G5系列及其評估板現已上市。了解更多信息，敬請訪問www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV。 |
