STM32WB5MMGH6TR無線模塊——IPD90P03P4L-04【MOSFET 晶體管】IXFH60N50P3

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深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
【供應/求購 原裝器件】STM32WB5MMGH6TR無線模塊——IPD90P03P4L-04【MOSFET 晶體管】IXFH60N50P3。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！



型號：STM32WB5MMGH6TR
封裝：LGA-86L
類型：無線模塊
概述：STM32WB5MMGH6TR 是2.4GHz，藍牙低能耗 5.4 和 802.15.4 模塊。該器件具有高接收靈敏度和輸出功率信號，可提供同類最佳的射頻性能。其低功耗特性可延長電池壽命、使用小型紐扣電池和進行能量收集。
產品圖：

產品特征：
集成芯片天線
動態和靜態并發模式
IEEE 802.15.4-2011 MAC PHY
支持 2 Mbits/s
頻帶 2402-2480MHz
Tx 輸出功率高達 +6 dBm
接收靈敏度：-96 dBm（1 Mbps 藍牙® 低功耗），-100 dBm（802.15.4）
范圍：最遠 75 米
-Mbyte 閃存，256-Kbyte SRAM
完全集成的 BOM，包括 32 MHz 無線電和 32 kHz RTC 晶體
集成 SMPS
68 個 GPIO
1.71 V 至 3.6 V VDD 電壓范圍
-40°C 至 85°C 溫度范圍




型號：IPD90P03P4L-04
封裝：TO-252-3
類型：MOSFET 晶體管
概述：IPD90P03P4L-04 是一款30V、最大 4.5mΩ 的 OptiMOS™ P2 汽車 P通道 MOSFET 晶體管。
產品圖：

規格參數：
系列：OptiMOS™ P2
FET 類型：P 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：90A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.1 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 253µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：+5V，-16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：137W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO252-3-11
封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

型號：IXFH60N50P3
封裝：TO-247-3
類型：功率 MOSFET 晶體管
概述：IXFH60N50P3 是一款 500V，60A，N通道增強型功率 MOSFET 晶體管。
產品圖：

規格參數：
系列：HiPerFET™, Polar3™
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：500 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3