單二極管DSEI36-06AS-TRL，STM32H743VGT6單核MCU，DS125MB203SQ扇出緩沖器

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明佳達，星際金華 供應(yīng) 單二極管DSEI36-06AS-TRL，STM32H743VGT6單核MCU，DS125MB203SQ扇出緩沖器


DSEI36-06AS-TRL 整流二極管 600V 快速恢復外延二極管

產(chǎn)品描述
DSEI36-06AS-TRL 是一款單二極管——600V、37A、快速恢復外延整流二極管，封裝為 TO-263（D2Pak）。

特點
平面鈍化芯片
低漏電流
極短恢復時間
改進的熱性能
極低的Irm值
極柔和的恢復特性
雪崩電壓額定值，確保可靠運行
柔和反向恢復，降低電磁干擾（EMI）/射頻干擾（RFI）
低Irm值可減少：
- 二極管內(nèi)的功率損耗
- 換向開關(guān)的導通損耗

應(yīng)用
高頻開關(guān)設(shè)備的反并聯(lián)二極管
抗飽和二極管
緩沖二極管
自由輪二極管
開關(guān)模式電源（SMPS）中的整流器
不間斷電源（UPS）

STM32H743VGT6 Arm Cortex M7 MCU 32位單核微控制器

產(chǎn)品描述
STM32H743VGT6 設(shè)備提供三個 ADC、兩個 DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗實時時鐘（RTC）、一個高分辨率定時器、12 個通用 16 位定時器、兩個用于電機控制的 PWM 定時器、五個低功耗定時器和一個真實隨機數(shù)生成器（RNG）。

特點
32 位 Arm® Cortex®-M7 核心，配備雙精度浮點單元 (FPU) 和 L1 緩存：16 KB 數(shù)據(jù)緩存和 16 KB 指令緩存，允許在單次訪問中填充一條緩存行。
256 位嵌入式閃存中填充一條緩存行；頻率最高可達 480MHz，MPU，856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及 DSP 指令
復位和電源管理
3 個獨立的電源域，可獨立進行時鐘門控或關(guān)閉以最大化電源效率：
D1：高性能功能，適用于高帶寬外設(shè)
D2：通信外設(shè)和定時器
D3：復位/時鐘控制/電源管理

DS125MB203SQ 12.5Gbps 雙端口多路復用器和扇出緩沖器，帶均衡和去強調(diào)

產(chǎn)品描述
DS125MB203SQ 設(shè)備是一款雙端口 2:1 多路復用器和 1:2 開關(guān)或扇出緩沖器，具有信號處理功能，適用于 10GE、10G-KR（802.3ap）、光纖通道、PCIe、InfiniBand、SATA3/SAS2 及其他高速總線應(yīng)用，數(shù)據(jù)速率可達 12.5 Gbps。接收器的連續(xù)時間線性均衡器（CTLE）提供必要的增益，以補償長達 30 英寸的 FR-4 電路板或 8 米長的電纜（AWG-24）在 12.5 Gbps 下的信號衰減。此片上功能消除了對外部信號處理器的需求。發(fā)射器支持可編程幅度電壓電平，可從 600 mVp-p 至 1300 mVp-p 選擇，并提供最高 12 dB 的去強調(diào)功能。

特性
12.5 Gbps 雙通道 2:1 多路復用器、1:2 開關(guān)或扇出
低功耗 390 mW 總功耗（典型值）
高級信號處理功能：
接收均衡最高可達 30 dB（6.25 GHz）
發(fā)射去加重最高可達 –12 dB
發(fā)射輸出電壓控制：600 mV 至 1300 mV
通過引腳選擇、EEPROM 或 SMBus 接口可編程
可選 2.5 V 或 3.3 V 供電電壓
–40°C 至 +85°C 工作溫度范圍

應(yīng)用
10GE、10G-KR
PCIe Gen-1/2/3
SAS2/SATA3（最高 6 Gbps）
XAUI、RXAUI