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[供應(yīng)] NAND閃存THGBMTG5D1LBAIL、HMC1501位置傳感器、TLE42754G線性低壓差穩(wěn)壓器

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發(fā)表于 2025-7-28 11:15:50 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: THGBMTG5D1LBAIL , HMC1501 , TLE42754G
(供求芯片)明佳達(dá)電子、星際金華——長(zhǎng)期供應(yīng)及回收原裝庫(kù)存器件:
【供應(yīng)/回收】THGBMTG5D1LBAIL(NAND閃存)、HMC1501位置傳感器、TLE42754G線性低壓差穩(wěn)壓器。

THGBMTG5D1LBAIL:32Gbit,NAND閃存存儲(chǔ)器IC,eMMC_5 接口,BGA-153
存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:閃存
技術(shù):閃存 - NAND
存儲(chǔ)容量:32Gb
存儲(chǔ)器組織:4G x 8
存儲(chǔ)器接口:eMMC_5
時(shí)鐘頻率:200 MHz
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-25°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:153-WBGA
供應(yīng)商器件封裝:153-BGA(11.5x13)

HMC1501:位置傳感器——磁位移傳感器,SOP-8
HMC1501 采用一個(gè)或兩個(gè)惠斯通電橋元件,可將硅片上的磁場(chǎng)方向轉(zhuǎn)換為電壓輸出。
相比于傳統(tǒng)霍爾效應(yīng)設(shè)備,HMC1501 傳感器性能更佳,精度更高,分辨率更好,并可改變場(chǎng)強(qiáng)。
HMC1501 還具有高靈敏度,以及卓越的抗沖擊和振動(dòng)性能等優(yōu)勢(shì),可使用如AlNiCo和陶瓷等低成本的傳統(tǒng)磁體,HMC1501 廣泛用于位置傳感、旋轉(zhuǎn)速度和角度探測(cè)以及非接觸式精密位置測(cè)量系統(tǒng)等。

TLE42754G:450mA,OPTIREG™ 線性低壓差穩(wěn)壓器,PG-TO263-5
輸出配置:正
輸出類型:固定
穩(wěn)壓器數(shù):1
電壓 - 輸入(最大值):42V
電壓 - 輸出(最小值/固定):5V
電壓降(最大值):0.5V @ 300mA
電流 - 輸出:450mA
電流 - 靜態(tài) (Iq):200 µA
電流 - 供電(最大值):25 mA
PSRR:60dB(100Hz)
控制特性:復(fù)位
保護(hù)功能:過流,超溫,反極性
工作溫度:-40°C ~ 150°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-6,D2PAK(5 引線 + 凸片),TO-263BA
供應(yīng)商器件封裝:TO-263-5

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