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成都華微發(fā)布超低功耗RISC-V MCU 國產(chǎn)芯片再添輕量化物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵組件​

發(fā)布時間:2025-8-12 11:14    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 成都華微 , RISC-V , MCU
成都華微電子科技股份有限公司(簡稱:成都華微)昨日發(fā)布公告稱,公司自主研發(fā)的超低功耗RISC-V MCU——HWD01001型芯片于近日正式發(fā)布。該產(chǎn)品集成了公司自主設(shè)計的32位RISC-V內(nèi)核,并采用多層次低功耗設(shè)計技術(shù),實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的超低功耗性能,為輕量化、低延遲、小型化的物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)應(yīng)用場景提供了系統(tǒng)化解決方案。

成都華微此次發(fā)布的HWD01001型MCU搭載的32位RISC-V內(nèi)核采用3級流水線設(shè)計,最高工作頻率達(dá)20MHz,支持硬件乘法和除法指令,能夠高效處理復(fù)雜運算任務(wù)。在功耗控制方面,該芯片在待機模式下的功耗低于1微安(1uA),并可在150微秒內(nèi)快速喚醒,顯著提升了設(shè)備的續(xù)航能力和響應(yīng)速度。其內(nèi)置64KB eFlash閃存和8KB SRAM存儲單元,工作電壓范圍覆蓋1.8V至3.6V,同時提供豐富的接口配置,包括雙路USART、單路LPUART、SPI、I2C、CAN 2.0以及12位1MSPS精度的ADCDAC模塊,并集成比較器功能,封裝形式包括QFN20(3mm×3mm)和QFN28(4mm×4mm),滿足多樣化場景的空間與功能需求。

從應(yīng)用場景來看,該芯片聚焦輕量化低功耗物聯(lián)網(wǎng)終端、可穿戴設(shè)備、環(huán)境感知設(shè)備及工業(yè)監(jiān)測設(shè)備等領(lǐng)域,其技術(shù)特性精準(zhǔn)匹配市場對小型化、低成本、高集成度芯片的需求。成都華微表示,此次新品發(fā)布是公司持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展的重要里程碑,未來公司將進一步加大在集成電路領(lǐng)域的研發(fā)投入,持續(xù)推出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新產(chǎn)品,以響應(yīng)下游客戶對芯片高性能、低功耗及供應(yīng)鏈安全的核心訴求。

值得注意的是,作為特種集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),成都華微在CPLD/FPGA、高速高精度ADC等技術(shù)領(lǐng)域長期處于國內(nèi)領(lǐng)先地位,相關(guān)產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于尖端科技場景。此次HWD01001型RISC-V MCU的推出,不僅填補了國產(chǎn)輕量化物聯(lián)網(wǎng)芯片的技術(shù)空白,更通過自主內(nèi)核設(shè)計與高集成度方案,有效推動了國產(chǎn)芯片生態(tài)的完善與供應(yīng)鏈安全保障,對國產(chǎn)替代進程及集成電路產(chǎn)業(yè)升級具有積極意義。

市場分析指出,該芯片若能突破規(guī)模化應(yīng)用瓶頸,有望成為國產(chǎn)芯片在消費電子與工業(yè)監(jiān)測領(lǐng)域的重要標(biāo)桿。截至公告發(fā)布日,成都華微股價報33.35元/股,總市值達(dá)212.39億元;據(jù)其2024年年報數(shù)據(jù),公司當(dāng)年實現(xiàn)營業(yè)收入6.04億元,歸母凈利潤1.22億元,銷售毛利率高達(dá)75.72%,展現(xiàn)出強勁的盈利能力和技術(shù)轉(zhuǎn)化實力。

成都華微在公告中提示,當(dāng)前HWD01001型MCU尚處于市場導(dǎo)入初期,尚未實現(xiàn)規(guī)模化銷售,未來可能面臨市場需求不足、客戶驗證失敗及推廣不及預(yù)期等風(fēng)險,公司提醒投資者理性評估新品對經(jīng)營業(yè)績的潛在影響。

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