IGBT晶體管：STGB10NB37LZT4，STGB30M65DF2，STGWA50H65DFB2

xingjijinhua

明佳達，星際金華 供應 IGBT晶體管：STGB10NB37LZT4，STGB30M65DF2，STGWA50H65DFB2


STGB10NB37LZT4 10A 410V 內置鉗位IGBT晶體管

產品描述
STGB10NB37LZT4 IGBT 采用先進的 PowerMESH™ 工藝，實現了開關性能與低導通狀態行為之間的卓越平衡。內置的集電極-柵極齊納二極管可提供非常精確的活性鉗位，而柵極-發射極齊納二極管則提供靜電放電（ESD）保護。

特點
低閾值電壓
低導通電壓降
低柵極電荷
高電流能力
高電壓鉗位功能

應用
汽車點火系統

STGB30M65DF2 650V 30A 溝槽柵極場截止型IGBT晶體管

產品描述
STGB30M65DF2 是一款采用先進專有溝槽柵極場截止結構開發的 IGBT。STGB30M65DF2 屬于 M 系列 IGBT，該系列在逆變器系統性能與效率之間實現了最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，正向 VCE(sat) 溫度系數和緊密的參數分布確保了更安全的并聯運行。

特性
最大結溫：TJ = 175 °C
最小短路耐受時間：6 μs
VCE(sat) = 1.55 V（典型值）在 IC = 30 A 時
參數分布緊密
更安全的并聯運行
正向VCE(sat)溫度系數
低熱阻
軟且快速恢復的反并聯二極管

應用
電機控制
UPS
PFC
通用逆變器

STGWA50H65DFB2 溝槽柵極場截止高速HB2 IGBT

產品描述
STGWA50H65DFB2 IGBT 650V HB2 系列代表了先進專有溝槽柵極場截止結構的演進。HB2 系列在低電流值下具有更好的 VCE（飽和）特性，并降低了開關能量，因此其性能在導通方面得到了優化。非常快速的軟恢復二極管與 IGBT 反并聯地共同封裝。其結果是一款專為最大限度地提高各種快速應用的效率而設計的產品。

規格
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：86 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：272 W
開關能量：910µJ（開），580µJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：151 nC
25°C 時 Td（開/關）值：28ns/115ns
測試條件：400V，50A，4.7 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)：92 ns
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）