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通俗易懂的晶振專業(yè)術(shù)語

發(fā)布時間:2025-9-18 09:23    發(fā)布者:yxcyangxing
關(guān)鍵詞: 晶振 , 石英晶振 , 晶體 , 石英晶體
想要了解一個行業(yè),就要對其產(chǎn)品的術(shù)語要有所了解,各行各業(yè)都要自己專業(yè)術(shù)語,石英晶振也不例外;了解晶振術(shù)語對晶振采購和選型有很大幫助;下面小揚給大家簡單的解釋晶振術(shù)語都代表什么意思:

標(biāo)稱頻率
晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。

工作頻率
晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。

調(diào)整頻差
在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。

溫度頻差
在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率的允許偏差。

老化率
在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。

電容
等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。

負(fù)載電容
與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負(fù)載諧振頻率(fL)
在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時,負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負(fù)載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。

動態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

負(fù)載諧振電阻在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2

激勵電平晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

基頻在振動模式最低階次的振動頻率。

泛音晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。

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