MOSFET晶體管SIZF918DT-T1-GE3，開關轉換器APW8743CQBI-TRG，串行EEPROM存儲器AT24C16C-SSHM-T

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明佳達，星際金華 供應 MOSFET晶體管SIZF918DT-T1-GE3，開關轉換器APW8743CQBI-TRG，串行EEPROM存儲器AT24C16C-SSHM-T



SIZF918DT-T1-GE3 帶肖特基二極管的雙N溝道30V MOSFET晶體管

產品描述
SIZF918DT-T1-GE3為雙N溝道30V MOSFET晶體管（帶肖特基二極管）。

規格參數
技術類型    MOSFET（金屬氧化物）
結構形式    雙N溝道（雙通道），肖特基
漏源電壓(Vdss)    30V
持續漏極電流(Id) @ 25°C    23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
導通電阻(Rds On) @ Id, Vgs    4mΩ @ 10A, 10V, 1.9mΩ @ 10A, 10V
閾值電壓(Vgs(th))（最大值）@ Id    2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA
柵極電荷(Qg)（最大值）@ Vgs    22nC @ 10V, 56nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds    1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V
功率 - 最大    3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度    -55°C ~ 150°C (TJ)

特性
第四代溝槽場效應晶體管®功率MOSFET
集成肖特基二極管的SkyFET®低側MOSFET
100% Rg與UIS測試通過

應用
CPU核心供電
計算機/服務器外圍設備
電源直降轉換器
同步降壓轉換器
電信DC/DC轉換器

APW8743CQBI-TRG 高壓雙通道開關轉換器

產品描述
APW8743CQBI-TRG是一款高壓雙通道開關轉換器，專為Tiger Lake(TGL)* VNN和V1P05A應用提供供電電壓而設計。該器件專為滿足應用需求而設計，在4至50mA輕載范圍內實現高效率，同時可提供高達500mA的峰值電流。

特性
支持5.0V至22V寬輸入電壓范圍
1個高效率COT模式，為VNN_BYP提供0.5A輸出電流能力
1個高效COT模式，V1P05A_BYP輸出電流達0.5A
各通道固定500kHz開關頻率
自動切換PWM/PFM控制模式
采用低ESR陶瓷輸出電容確保穩定性
內置VIN和VCC上電復位控制
內置電流限制保護（帶鎖存關斷模式）
內置欠壓保護（帶鎖存關斷模式）
內置過壓保護（帶鎖存關斷模式）
內置過溫保護
VNN_BYP與V1P05A_BYP獨立EN控制
VNN_BYP與V1P05A_BYP共用POK信號指示器
內置獨立VID控制（VNN_BYP & V1P05A_BYP）
TQFN 3x3-16B封裝

應用領域
筆記本電腦
顯卡
主板

AT24C16C-SSHM-T 16Kbit 1MHz I²C串行EEPROM存儲器

產品描述
AT24C16C-SSHM-T是一款16Kbit 1MHz I²C串行EEPROM存儲器。

規格參數
存儲器類型    非易失性
存儲器格式    EEPROM
制造工藝    EEPROM
存儲容量    16Kbit
存儲器組織    2K x 8
存儲器接口    I2C
時鐘頻率    1 MHz
寫入周期時間 - 字節/頁    5ms
訪問時間    550 ns
供電電壓    1.7V ~ 5.5V
工作溫度    -40°C ~ 85°C (TA)

特性
低電壓工作：
VCC = 1.7V 至 5.5V
內部組織為 2,048 x 8 (16K)
工業溫度范圍：-40°C 至 +85°C
I2C 兼容（雙線）串行接口：
100 kHz 標準模式，1.7V 至 5.5V
400 kHz 快速模式，1.7V 至 5.5V
1 MHz 快速模式增強版 (FM+)，2.5V 至 5.5V
施密特觸發器，帶濾波輸入以抑制噪聲
雙向數據傳輸協議
寫保護引腳實現全陣列硬件數據保護
超低工作電流（最大 3 mA）和待機電流（最大 6μA）
16字節頁寫入模式：
支持部分頁寫入
隨機與順序讀取模式
自時序寫入周期≤5毫秒
ESD防護>4,000V
高可靠性：
耐用性：1,000,000次寫入循環
數據保留期：100年
符合RoHS標準
晶圓銷售選項：晶圓形式